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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ389S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2SJ389S |
2SJ389(L), 2SJ389(S)
6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Pulse Test
–10 V
–5, –2, –1 A
–2, –1 A
V = –4 V
I = –5 A
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
50
20
10
2
5
1
0.5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
V = –10 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
75 °C
25 °C
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
–0.1
–1
–10
–100
–0.3
–3
–30
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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