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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD864K |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SD864K |
2SD864(K)
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
120
—
—
V
I
C
= 25 mA, R
BE
= _
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)1
—
—
100
μA
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
V
CE
= 100 V, R
BE
= _
V
CE
= 3 V, I
C
= 1.5 A*
I
C
= 1.5 A, I
B
= 3 mA*
—
—
10
μA
DC current transfer ratio
1000
—
20000
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
—
—
3.0
V
I
C
= 3 A, I
B
= 30 mA*
I
C
= 1.5 A, I
B
= 3 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
—
—
2.0
V
1
V
BE(sat)2
t
on
t
stg
t
f
—
—
3.5
V
I
C
= 3 A, I
B
= 30 mA*
I
C
= 1.5 A, I
B1
= –I
B2
= 3 mA
1
Turn on time
—
0.5
—
μs
Storage time
—
4.5
—
μs
Fall time
Note:
—
1.1
—
μs
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD879 | 1.5V, 3V Strobe Applications |
| 2SD886 | TRANSISTOR (NPN) |
| 2SD886-TO-126 | TRANSISTOR (NPN) |
| 2SD894 | General Driver Applications |
| 2SD895 | 85V/6A, AF 35W Output Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD866 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:2SD866 |
| 2SD866A | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD866AP | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Si NPN Epitaxial Planar |
| 2SD866AQ | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Si NPN Epitaxial Planar |
| 2SD866AR | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Si NPN Epitaxial Planar |
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