參數(shù)資料
型號： 2SD2663
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SD2663
2SB1700 / 2SD2663
No.7380-2/4
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Ratings
typ
4000
Parameter
Symbol
Conditions
min
1500
max
Unit
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
hFE
fT
VCE=(--)3V, IC=(--)1.5A
VCE=(--)5V, IC=(--)1.5A
IC=(--)1.5A, IB=(--)3mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)3mA
IC=(--)5mA, IE=0
IC=(--)50mA, RBE=
∞
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
20
MHz
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
ton
tstg
tf
(--1.0)0.9
(--)1.5
(--)2.0
(--)110
(--)100
(0.8)0.7
(2.4)5.0
1.2
Specified Test Circuit
(For PNP, the polarity is reversed.)
Electrical Connection
VBE= --5V
VCC=50V
INPUT
OUTPUT
100
μ
F
470
μ
F
50
RB
RL
50
VR
PW=50
μ
s, Duty Cycle
≤
1%
500IB1= --500IB2=IC=1A
TUT
+
+
6k
200
2SB1700
C
E
B
6k
200
2SD2663
C
E
B
IC -- VCE
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
IT04729
0
--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
2SB1700
IB=0
--150
μ
A
--250
μ
A
--200
μ
A
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
IT04731
IB=0
IT04732
--1.0mA
0
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
IC -- VCE
0
1
2
3
4
5
6
IB=0
1.0mA
1.5mA
IC -- VCE
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IT04730
0
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
IB=0
150
μ
A
200
μ
A
250
μ
A
300
μ
A
350
μ
A
400
μ
A
450
μ
A
500
μ
A
2SB1700
2SD2663
2SD2663
From top
--5.0mA
--4.5mA
--4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--2.5mA
--2.0mA
From top
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
--1.5mA
--300
μ
A
--350
μ
A
--400
μ
A
--500
μ
A
--450
μ
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1731 Low frequency amplifier
2SB1739 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications
2SB330 TRANSISTOR | BJT | PNP | 150MA I(C) | TO-5
2SD331C TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
2SD331D TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2673TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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