參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2653K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2SD2653K
2SD2653K
Transistors
!
Electrical characteristic curves
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
10
D
F
1000
100
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
0.01
1
0.1
I
C
/I
B
=
20/1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
Fig.2 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
C
S
C
(
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
0.001
C
C
(
0.01
0.1
1
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
50/1
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.5
1
1.5
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
0.001
C
C
(
0.01
10
0.1
1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
10
T
T
(
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
0.01
0.1
1
10
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
100MHz
tstg
tdon
tf
tr
Fig.6 Switching time
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
S
1
10
100
0.1
10
100
1000
f
=
1MHz
I
C
=
0A
Ta
=
25C
C
E
Cib
Cob
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
Single Pulsed
DC Operation
PW=100ms
10ms
1ms
Fig.8 Safe Operating Area
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2653 Low frequency amplifier
2SD2656 General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2657K Low frequency amplifier
2SD2657 Low frequency amplifier
2SD2658LS 2SD2685LS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2655WM-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*