參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2652
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose amplification (12V, 1.5A)
中文描述： 通用放大（12V的，1.5A的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 75K
代理商： 2SD2652
2SD2652
Transistors
!
Electrical characteristic curves
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
10
D
F
100
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
V
CE
2V
Pulsed
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
B
B
(
C
C
(
0.1
0.01
10
1
Ta
=
25
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
B
=
Pulsed
I
C
/I
B
=
20/1
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
C
C
(
0.01
0.1
1
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
I
C
/I
B
=
50/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
10/1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
C
C
(
1.5
1.0
0.5
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
100
°
C
0.001
0.01
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
0.1
1
10
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
10
T
T
100
1000
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Pulsed
1
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Switching time
S
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
tstg
tdon
tr
tf
0.1
1
10
100
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
1
E
C
10
100
Cib
Cob
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25
°
C
0.01
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.8 Safe Operating Area
0.01
C
C
0.1
1
10
Ta
=
25
°
C
Single Pulse
1m
1m
D Oeao
=
10m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2653K Low frequency amplifier
2SD2653 Low frequency amplifier
2SD2656 General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2657K Low frequency amplifier
2SD2657 Low frequency amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2652T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*