參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2557
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Series Regulator and General Purpose)
中文描述： 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT-100, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： 2SD2557
156
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
Application :
Series Regulator and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2557
200
200
6
5
2
70(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SD2557
100
max
5
max
200
min
1500to6500
1.5
max
15
typ
110
typ
Unit
μ
A
mA
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=200V
V
EB
=6V
I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=1A
I
C
=1A, I
B
=5mA
V
CE
=10V, I
E
=–0.5A
V
CB
=10V, f=1MHz
Darlington
2S D2557
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
5
4
2
1
3
0
2.5
2
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
15CCs ep
–(T
10ms
1ms
10
50
5
100
300
0.05
0.1
1
0.5
10
30
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
100ms
(V
CE
=5V)
0.02
0.1
5
1
0.5
Collector Current I
C
(A)
D
F
1000
500
5
10
100
50
5000
8000
Pc–Ta Derating
70
60
50
40
30
20
10
3.5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
125C
25C
–30C
Without Heatsink
Natural Cooling
0.3
0.5
5.0
1.0
1
10
5
100
50
2000
1000
500
Time t(ms)
T
θ
j
(
0
0
1
2
4
3
5
2
6
4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
I
B
=A
250mA
50mA
10mA
2.5mA
1.2mA
0.6mA
0.3mA
External Dimensions
MT-100(TO3P)
15.6
±0.4
9.6
1
±
4
2
5
±
1
3.2
±0.1
2
3
1.05
+0.2
-0.1
2
4
B
E
5.45
±0.1
5.45
±0.1
C
4.8
±0.2
0.65
+0.2
-0.1
1.4
2.0
±0.1
a
b
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.
B
C
E
(3.2k
)(450
)
Equivalent circuit
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PDF描述
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2SD2562 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 15A TO3PF
2SD256500A 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD25730QA 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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