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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2457 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 中文描述： | 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD2457 |
1
Transistor
2SD2457
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Large collector power dissipation P
C
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
50
40
5
3
1.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CBO
V
CEO
h
FE*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
B
= 0
V
EB
= 5V, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
*2
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.15A
*2
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
*2
V
CB
= 5V, I
E
= –0.5A
*2
, f = 200MHz
V
CB
= 20V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
50
40
80
typ
120
150
45
max
1
100
10
220
1
1.5
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
Marking symbol :
1Y
*2
Pulse measurement
*1
h
FE
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE
80 ~ 160
120 ~ 220
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2459 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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| 2SD2461 | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SD2462 | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SD2465A | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD24570QL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD24590RL | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD24590SL | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD246 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 4.5A 16W BEC |
| 2SD247 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC |
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