參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2381
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
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代理商： 2SD2381
2SD2381
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
ic(peak)
1500
V
Collector to emitter voltage
800
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
3
A
Collector peak current
3.5
A
Collector surge current
ic(surge)
10
A
Collector power dissipation
P
C*1
T
j
T
stg
40
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
–55 to +150
°C
Note: 1.
Value at T
C
= 25°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min Typ Max Unit
Test Conditions
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
800 —
—
V
I
C
= 10 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
6
—
—
V
I
E
= 10 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current I
CES
DC current transfer
ratio
—
—
500
μA
V
CE
= 1500 V, R
BE
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.3 A
h
FE
—
—
30
—
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
—
5
V
I
C
= 2.5 A, I
B
= 0.8 A
Base to emitter
saturation voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
I
C
= 2.5 A, I
B
= 0.8 A
Fall time
T
f
—
—
1.0
μs
I
CP
= 2.75 A, I
B1
= 0.6 A
I
B2
≤
–1.3 A,
f
H
= 15.75 kHz
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PDF描述
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