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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2323 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SD2323 |
2SD2323
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
D
*
I
C(peak)
P
C
*
Tj
300
V
Collector to emitter voltage
300
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
6
A
Diode current
1
6
A
Collector peak current
10
A
Collector power dissipation
1
30
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
300
—
420
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(SUS)
300
—
—
V
I
C
= 3 A, R
BE
=
∞
, L = 10 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
100
μA
V
CE
= 300 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 2 V, I
C
= 4 A
I
C
= 4 A, I
B
= 40 mA
DC current transfer ratio
500
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
2.0
V
I
C
= 4 A, I
B
= 40 mA
Emitter to collector forward
voltage
V
ECF
—
—
3.5
V
I
F
= 6 A
Turn on time
t
on
—
1.2
—
μs
I
C
= 4 A, V
= 20 V
I
B1
= –I
B2
= 40 mA
Storage time
t
stg
t
f
—
8.0
—
Fall time
—
8.0
—
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