參數(shù)資料
型號： 2SD2247
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SD2247
2SD2247
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
55
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
100
mA
Emitter current
–100
mA
Collector power dissipation
200
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
55
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
50
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE(sat)
—
—
0.5
μ
A
μ
A
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
V
EB
= 4 V, I
C
= 0
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
Emitter cutoff current
—
—
0.5
DC current transfer ratio
100
—
320
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
0.2
V
Base to emitter voltage
V
BE
f
T
Cob
—
0.67
0.75
V
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Gain bandwidth product
—
—
100
Mhz
Collector output capacitance
Note:
1. The 2SD2247 is grouped by h
FE
as follows.
Grade
B
—
1.8
3.5
pF
C
h
FE
100 to 200
160 to 320
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2251 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2256 Silicon NPN Triple Diffused
2SD2263 Silicon NPN Epitaxial
2SD2294 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SD2295 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
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參數(shù)描述
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2SD2247C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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