參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2219Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 12A條一(c)|至220VAR
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文件大小: 136K
代理商: 2SD2219Q
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PDF描述
2SD2219R TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR
2SD2219S TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR
2SD2209
2SD2210R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
2SD2210S TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
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參數(shù)描述
2SD2219R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR
2SD2219S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR
2SD2220 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification)
2SD22200RA 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2220Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126VAR