參數(shù)資料
型號： 2SD2178
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-3-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2SD2178
2SD2178
2
SJD00251BED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
R
th
t
0
160
40
120
80
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Without heat sink
0
12
2
10
4
8
6
0
120
100
80
60
40
20
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
B
=400μA
350μA
300μA
250μA
200μA
150μA
100μA
50μA
Ta=25C
10
3
0.01
10
2
10
1
1
10
0.1
1
10
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
Ta=75C
–25C
25C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
B
B
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=50
25C
75C
Ta=–25C
0
300
250
200
150
100
50
0.1
1
10
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=2V
Ta=75C
Ta=25C
Ta=–25C
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=10V
f=200MHz
Ta=25C
0
1
60
50
40
30
20
10
10
100
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
10
1
1
10
10
4
10
2
10
3
10
3
10
4
10
2
10
1
10
1
10
3
10
2
10
4
Time t (s)
T
t
°
C
Without heat sink
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2179 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD217 NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
2SD218 NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
2SD2180 2SD2180
2SD2184 Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD21780RA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 2A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD21780SA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 2A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2178R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2178S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2179 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*