參數(shù)資料
型號： 2SD2150R
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|律師- 62
文件頁數(shù)： 1/3頁
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代理商： 2SD2150R
(96-237-C74)
External dimensions (Units: mm)
243
Transistors
Low Frequency Transistor
(20V, 3A)
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2) Excellent current gain characteris-
tics.
3) Complements the
2SB1424 / 2SA1585S.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2264R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SC4119 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for 800V/15A Driver Applications(用于800V/15A驅(qū)動器應用的NPN三路硅平面擴散型晶體管)
2SC4126 Silicon NPN Epitaxial
2SC4130 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(High Voltage And High Speed Switching Transistor)(硅NPN外延平面晶體管（高壓和高速開關(guān)晶體管）)
2SC4131 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(硅NPN外延平面晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2150S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62
2SD2150-SOT-89 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN)
2SD2150T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2150T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2151 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)
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