參數(shù)資料
型號： 2SD2114K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
中文描述： 高電流增益MediumPower晶體管（20V的，0.5A的）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 124K
代理商： 2SD2114K
(96-232-C107)
External dimensions (Units: mm)
232
Transistors
High-current Gain Medium
Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K / 2SD2144S
Features
1) High DC current gain.
h
FE
= 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
V
EBO
= 12V (Min.)
3) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.18V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 500mA / 20mA)
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2144 High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2150-SOT-89 TRANSISTOR NPN)
2SD2153 Power Transistor(功率晶體管)
2SD2167 Power Transistor (31【4V, 2A)
2SD2394 Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2114K_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114K_12 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain Medium Power Transistor
2SD2114KS 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
2SD2114KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2114KT146V 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*