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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2112 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SD2112 |
2SD2112
3
Maximum Collector Dissipation Curve
30
20
10
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
20
10
5
2
0.2
0.5
1.0
C
C
0.1
0.05
0.02
3
30
10
100
300
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
1
μ
s
1m
10
μ
s
Area of Safe Operation
D prto(
C
5
°
C
i
C(peak)
I
C(max)
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
10
8
6
4
2
0
1
C
C
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
3
5
4
Typical Output Characteristics
0.5 mA
1.0
3.0
1.5
2.5
2.0
30,000
10,000
300
3,000
1,000
100
30
0.1
0.3
Collector current I
C
(A)
D
F
1.0
3
10
T
C
= 75
°
C
–25
°
C
25
°
C
V
CE
= 3 V
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2113 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
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| 2SD2115L | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115S | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115 | Power Bipolar Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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