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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2101 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SD2101 |
2SD2101
3
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
10
30
20
Maximum Collector Dissipation Curve
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1
3
10
30
100
300
Area of Safe Operation
i
C
(peak)
I
C
(max)
1m
PW=
1 m
DCOeao T
C
=2
°
C
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
5
4
2
4
6
8
10
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
0.4 mA
P
C
=3 W
0.6
1.8
2.0
0.8
1.0
1.6
1.4
1.2
10
30
100
300
1,000
3,000
10,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.1
0.3
1.0
3
10
30
100
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 3 V
T
C
=75
°
C
–25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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