參數(shù)資料
型號： 2SD2017
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
中文描述： 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FM20, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SD2017
142
Darlington
2S D2017
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
35
30
20
10
2
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
50x50x2
100x100x2
150x150x2
0
0
4
2
6
3
1
5
2
1
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
3
4
5
6
C
C
(
40mA
20mA
8mA
4mA
2mA
1mA
I
B
=0.4mA
0.03
0.1
1
0.5
6
5
5000
10000
1000
500
100
30
50
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=2V)
Typ
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
3
2
1
0.2 0.5
5
10
1
100
500 1000
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=1A
I
C
=3A
I
C
=8A
0
3
4
5
6
2
1
0
2
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=2V)
0.03
0.1
1
0.5
5 6
5000
10000
1000
500
100
50
30
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=2V)
125C
25C
–30C
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
0.3
1
5
0.5
1
10
100
50
500
5
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
–0.5
–1
–5–6
20
10
30
C
T
(
Z
)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
Natural Cooling
Silicone Grease
Heatsink: Aluminum
in mm
Typ
Safe Operating Area
(Single Pulse)
10
3
5
300
100
50
0.05
0.02
1
0.1
0.5
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
10ms
1m
D.C (T
C
=25C)
15CCsTm)
2Ca m
–CaTp
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
Application :
Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2017
300
250
20
6
1
35(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
2SD2017
100
max
10
max
250
min
2000
min
1.5
max
2.0
max
20
typ
65
typ
Unit
μ
A
mA
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=300V
V
EB
=20V
I
C
=25mA
V
CE
=2V, I
C
=2A
I
C
=2A, I
B
=2mA
I
C
=2A, I
B
=2mA
V
CE
=12V, I
E
=–1A
V
CB
=10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
External Dimensions
FM20(TO220F)
3.3
±0.2
10.1
±0.2
4
±
1
±
1
8
±
0
±
3
±
2.54
2.54
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
1.35
±0.15
2.2
±0.2
4.2
±0.2
2.8
c0.5
2.4
±0.2
0.45
+0.2
-0.1
B
E
C
a
b
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
100
R
L
(
)
50
I
C
(A)
2
V
(V)
–5
I
(mA)
–10
t
on
(
μ
s)
0.6typ
t
stg
(
μ
s)
16.0typ
t
f
(
μ
s)
3.0typ
I
(mA)
5
V
(V)
10
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.
B
(4k
)
C
E
Equivalent
circuit
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PDF描述
2SD2028 Low-Frequency Power Amp Applications
2SD2045 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管)
2SD2046 Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SD2048 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for Driver Application(驅(qū)動器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴散型達林頓晶體管)
2SD2049 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for Driver Application(驅(qū)動器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴散型達林頓晶體管)
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參數(shù)描述
2SD2017_01 制造商:SANKEN 制造商全稱:Sanken electric 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2018 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2019 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial
2SD202 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 110V 6A 50W BEC
2SD2023 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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