參數(shù)資料
型號： 2SD1993T
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 55V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|園區(qū)
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 768K
代理商： 2SD1993T
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2SD1994AQ Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1994AR TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP
2SD1994AS Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1995R TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP
2SD1995S TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP
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參數(shù)描述
2SD1994A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ASA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ATA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19960RA 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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