參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1985P
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|的SOT - 186
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
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代理商： 2SD1985P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1985Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1985R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1990 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1990O TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SD1990P Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1987 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 60V 4A 30W BCE
2SD1988 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 45V 2A 25W BCE
2SD199 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V .5A 25W BEC
2SD1991A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1991A0A 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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