參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1964Q
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 251K
代理商： 2SD1964Q
2SD1964
2
SJD00236BED
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
fT IC
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
60
50
40
30
20
10
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
012
210
48
6
0
4
8
12
20
16
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
IB=300mA
200mA
140mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
0.1
1
10
0.01
10
1
0.1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
(1) IC/IB=10
(2) IC/IB=20
TC=25C
(1)
(2)
0.1
1
10
0.01
10
1
0.1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
TC=–25C
25C
100C
IC/IB=10
0.1
10
1
10
100
1 000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=10V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1 000
Collector current I
C (A)
Transition
frequency
f
T
(MHz)
VCE=10V
f=1MHz
TC=25C
08
26
4
0.01
10
1
0.1
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
tstg
tf
ton
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=10(IB1=–IB2)
VCC=50V
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
t=10ms
t=1ms
DC
ICP
IC
Non repetitive pulse
TC=25C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1975S 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1975AS 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1975AQ 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1976 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1979GT 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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