參數(shù)資料
型號： 2SD1956
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220
中文描述： 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至220
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： 2SD1956
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PDF描述
2SD1957F Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1957G TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FP
2SD1962M TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SD1963Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1963R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
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參數(shù)描述
2SD1957 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 120V 7A 30W BCE
2SD1958 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W
2SD1963T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1963T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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