型號: | 2SD1936U |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)| SPAK |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 405K |
代理商: | 2SD1936U |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1936V | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SB12U5 | 1 and 2 Watt SB Series DC/DC Converters |
2SB12U9 | 1 and 2 Watt SB Series DC/DC Converters |
2SB12U9-9 | 1 and 2 Watt SB Series DC/DC Converters |
2SD1265 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD1938 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1938(F)-S(TX) | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1938FTL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1943 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB 80V 3A 40W BCE |