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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD19356 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至236VAR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 405K |
| 代理商： | 2SD19356 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD19357 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236VAR |
| 2SD19358 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1936S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
| 2SD1936T | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD1936U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1936T-SSH | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1938 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1938(F)-S(TX) | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
| 2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1938FTL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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