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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1733TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SD1733TL |
3/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.05 - Rev.D
Data Sheet
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Electrical characteristic curves
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
1000
100
10
1
Ta=25
°C
VCE=5V
24
08
10
6
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(
A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (
V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
IB=0mA
Ta=25
°C
0
100
1000
100
0
10
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.3 DC current gain vs.
collector current
Ta=25
°C
VCE=3V
1V
0.01
0.1
1.0
2.0
0.2
0.02
0.05
0.5
100
0
10
1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(
V
)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
IC/IB=20/1
Ta=25
°C
10/1
1
2
5
10
20
50 100 200 500 1000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T(MHz)
EMITTER CURRENT :
IE (mA)
Fig.5 Gain bandwidth product vs.
emitter current
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25
°C
VCE=5V
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(
pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (
V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB (
V)
Fig.6 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
100
1000
10
1
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0A
Ic=0A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50100
500
200
1000
10
5
2
1
20m
10m
5m
2m
1m
50m
100m
200m
500m
Ic Max (Pulse)
Ta=25
°C
Single
non-repetitive
pulse
Pw=10m
S
Pw=100mS
DC
Fig.7 Safe operating area
(2SD1863)
Ic Max (Pulse)
Ta=25
°C
Single
non-repetitive
pulse
Pw=10m
S
Pw=100mS
DC
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (
V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(
A)
0.1 0.2 0.5 1
2
5 10 20 50100
500
200
1000
10
5
2
1
20m
10m
5m
2m
1m
50m
100m
200m
500m
Fig.8 Safe operating area
(2SD1898)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1863TV2 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1768STPQ | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898T100R | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1863TV2/R | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898T100/R | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1733TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1733TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1733TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1739 | 制造商:. 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:MATSU 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:Matsushita Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
| 2SD1740 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92 |
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