參數(shù)資料
型號： 2SD1683U
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至126
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 401K
代理商： 2SD1683U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1684Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SD1684S TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SD1684T Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1724S Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1724T TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1684 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB
2SD1684T 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126
2SD1685F 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1685G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1691-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin TO-126 Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN Power Transistor, 60V, 5.0A, TO-126
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*