參數(shù)資料
型號： 2SD1446
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
中文描述： 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 400V五（巴西）總裁| 6A條一（c）|的SOT - 186
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： 2SD1446
2
Transistor
2SD1478, 2SD1478A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
0
200
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
Ta=25C
I
B
=50
μ
A
45
μ
A
40
μ
A
35
μ
A
5
μ
A
10
μ
A
15
μ
A
20
μ
A
25
μ
A
30
μ
A
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
10
10
2
10
3
10
4
10
5
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
1
3
10
30
100
0
6
5
4
3
2
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1450R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-72
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2SD14500RA 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD14500SA 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD14500TA 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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