參數(shù)資料
型號： 2SD1420
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： UPAK-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： 2SD1420
2SD1420
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
180
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
120
V
Emitter to base voltage
V
EBO
5V
Collector current
I
C
1.5
A
Collector peak current
i
C(peak)*
1
3A
Collector power dissipation
P
C*
2
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
180
—
V
I
C = 1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
120
—
V
I
C = 10 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5—
—
VI
E = 1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 160 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
320
V
CE = 5 V, IC = 0.15 A
h
FE2
30
—
V
CE = 5 V, IC = 0.5 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1.0
V
I
C = 0.5 A, IB = 50 mA, Pulse
Base to emitter voltage
V
BE
—
0.9
V
CE = 5 V, IC = 0.15 A, Pulse
Note:
1. The 2SD1420 is grouped by h
FE1 as follows.
Mark
EA
EB
EC
h
FE1
60 to 120
100 to 200
160 to 320
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PDF描述
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