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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1367BCTR-E |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, UPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 2SD1367BCTR-E |
2SD1367
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
20
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
16
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
6
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
0.1
A
VCB = 16 V, IE = 0
Emitter cutoff current
IEBO
—
0.1
A
VEB = 5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
hFE
250
—
500
VCE = 2 V, IC = 0.1 A, Pulse
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
0.15
0.3
V
IC = 1 A, IB = 0.1 A, Pulse
Base to emitter saturation voltage
VBE(sat)
—
0.9
1.2
V
IC = 1 A, IB = 0.1 A, Pulse
Gain bandwidth product
fT
—
100
—
MHz
VCE = 2 V, IC = 10 mA
Collector output capacitance
Cob
—
20
—
pF
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1368CAUR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1368CBTR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1368CBTL | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1368CCUR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1368CAUR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1368CBTL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape |
| 2SD1379 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1383K | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:SUB ONLY SI.TRANSISTOR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1383KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1383KT146B | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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