參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1267A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SD1267A
2
Power Transistors
2SD1267, 2SD1267A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
20
16
4
12
8
0
6
5
4
3
2
1
I
B
=150mA
T
C
=25C
100mA
80mA
60mA
40mA
30mA
20mA
10mA
5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述
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2SD1267APLB 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1267AQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
2SD1267AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186
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