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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1260 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 中文描述： | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SD1260 |
2
Power Transistors
2SD1260, 2SD1260A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
40
30
10
25
35
20
5
15
(1) T
=Ta
(2) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=1.3W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
6
5
4
1
3
2
0
5
4
3
2
1
T
C
=25C
I
B
=2.0mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
1.4mA
1.8mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
3.2
0.8
2.4
1.6
0
10
8
6
4
2
V
CE
=4V
T
C
=100C
–25C
25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=250
100C
25C
T
C
=–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
10
10
2
10
3
10
4
10
5
V
CE
=4V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
0.1
Collector to base voltage V
CB
(V)
1
10
100
0.3
3
30
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=10ms
1ms
300ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
3
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1261 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD1262 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington |
| 2SD1263A | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
| 2SD1263 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
| 2SD1264 | Silicon NPN triple diffusion planar type |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1260/2SD1260A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1260. 2SD1260A - NPN Transistor Darlington |
| 2SD1260A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD1260AP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD1260AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD1260AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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