參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1115
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SD1115
2SD1115(K)
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
400
—
—
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
300
—
—
V
I
= 2 A, PW = 50 μs,
f = 50 Hz, L = 10 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)
—
—
100
μA
V
CE
= 300 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 A*
I
C
= 2 A, I
B
= 20 mA*
DC current transfer ratio
500
—
—
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
2.0
V
Turn on time
t
on
t
off
—
1.0
—
μs
I
C
= 2 A, I
B1
= –I
B2
= 20 mA
Turn off time
Note:
—
22
—
μs
1. Pulse test.
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
20
40
60
0.005
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.5 1.0 2
5 10 20
50 100200 500
Area of Safe Operation
i
C
(peak)
I
C
(max)
Ta = 25
°
C
P P s ht
D prtnT
C
5
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1115K Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SD1168 NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)
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2SD1189 2SD1189
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參數(shù)描述
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