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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD0601A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SD0601A |
1
Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification
Complementary to 2SB709A
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
JEDEC:TO–236
EIAJ:SC–59
Mini Type Package
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
60
50
7
200
100
200
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Noise voltage
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
NV
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
60
50
7
160
90
typ
0.1
150
110
3.5
max
0.1
100
460
0.3
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
mV
pF
Marking symbol :
Z
*
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE1
160 ~ 260
210 ~ 340
290 ~ 460
Marking Symbol
ZQ
ZR
ZS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD0602 | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD0602A | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD0638 | For Medium-Power General Amplification |
| 2SD0662 | For High Breakdown Voltage General Amplification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD0601A(2SD601A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SD0601A0L | 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD0601AHL | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SD0601AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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