參數(shù)資料
型號: 2SC6077
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述: npn型硅外延型(厘進(jìn)程)
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 276K
代理商: 2SC6077
2SC6077
2006-10-20
4
0.01
0.1
100
1
10
1
10
0.1
10 ms*
1 ms*
100 ms*
0.001
r
th
– t
w
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Safe Operating Area
* Single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max. (continuous)
IC max. (pulsed)*
DC operation
Ta=25
Pulse width t
w
(s)
T
r
t
/
Single nonrepetitive pulse Ta
=
25°C
Curves should be applied in thermal limited area.
100
1
0.001
10
0.01
0.1
1
100
1000
10
VCEO MAX.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6078 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6079 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6087 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC668SP 2SC668SP
2SC717 VHF RF AMPLIFIER, MIXER, OSCILLATOR
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參數(shù)描述
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2SC6080 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching
2SC6081 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR