參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6075
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： npn型硅外延式
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 175K
代理商： 2SC6075
2SC6075
2007-06-07
4
0.001
0.1
100
1
10
1
10
0.1
VCEO MAX.
10 ms*
1 ms*
100 ms*
0.01
1000
1
0.001
10
0.01
0.1
1
100
1000
100
10
IC max. (continuous)
IC max. (pulsed)*
DC operation
Ta=25
℃
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Safe Operating Area
* Single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
T
r
t
℃
/
Curves should be applied in thermal limited area.
single nonrepetitive pulse
Ta
=
25°C
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PDF描述
2SC6076 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6077 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6079 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6087 Silicon NPN Epitaxial Type
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參數(shù)描述
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2SC6076(TE16L1,NV) 功能描述:TRANS NPN 80V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6077 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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