參數(shù)資料
型號： 2SC594
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|至5
文件頁數(shù)： 3/19頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： 2SC594
2SC5907
Rev.0, Oct. 2002, page 3 of 19
100
80
60
40
20
0
50
100
150
200
250
C
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Collector Power Dissipation Curve
50
40
30
20
10
1
2
3
4
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Typical Output Characteristics
50
40
30
20
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
200
100
0
0.1
1.0
10
100
Collector Current I
C
(mA)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
I
B
= 10
μ
A
110
μ
A
210
μ
A
310
μ
A
V
CE
= 1 V
VCE = 1 V
0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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