參數(shù)資料
型號： 2SC5939
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 50 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SC5939
Transistors
2SC5939
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: April 2004
SJC00306AED
For high-frequency amplification/oscillation/mixing
■
Features
High transition frequency f
T
Small collector output capacitance (Common base, input open cir-
cuited) C
ob
and reverse transfer capacitance (Common base) C
rb
SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
3
V
Collector current
I
C
50
mA
Collector power dissipation
P
C
T
j
100
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
5 mA
V
CE
=
4 V, I
C
=
100
μ
A
V
CE
=
4 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
20 mA, I
B
=
4 mA
V
CE
=
4 V, I
E
=
5 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
4 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
3
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
1
μ
A
Forward current transfer ratio
h
FE
h
FE
75
400
h
FE
ratio
0.75
1.6
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
f
T
C
ob
0.5
V
Transition frequency
1.4
1.9
2.7
GHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
1.4
pF
Reverse transfer capacitance
(Common base)
C
rb
V
CB
=
4 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
0.45
pF
Collector-base parameter
r
bb
' C
C
V
CB
=
4 V, I
E
=
5 mA, f
=
31.9 MHz
11
ps
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
1: Base
2: Emitter
3: Collector
SSSMini3-F1 Package
Marking Symbol: 1S
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5946 2SC5946
2SC5948 Variable Capacitance Diode for TV Tuner UHF Tuning; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 6.0 min; Characteristics rs (ohm) max: 0.6; Characteristics C (pF) max: C1 = 13.0 to 16.0 C10 = 2.0 to 2.3; Characteristics CVR/CVR: 1/10; Cl: 2.15; Package: URP
2SC5949 Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5975 SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
2SC5976 Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC593900L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5939G0L 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*