參數(shù)資料
型號： 2SC5881
英文描述： Transistors
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 3/24頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： 2SC5881
Data Sheet P15660EJ1V0DS
3
2SC5800
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
3
1
4
5
7
6
8
9
V
CE
= 1 V
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
100
80
20
40
60
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
V
CE
= 2 V
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
100
80
20
60
40
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
60
30
40
50
10
20
0
1
2
3
4
5
6
7
I
B
= 40 A
320 A
280 A
240 A
200 A
160 A
120 A
80 A
360 A
400 A
相關PDF資料
PDF描述
2SC5831 Driver Applications
2SC5849 Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier
2SC5865 Transistors High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A)
2SC5899 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC5907 Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5881TLQ 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5881TLR 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5886A(T6L1,NQ) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5888-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*