參數(shù)資料
型號： 2SC5877S
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： トランジスタ
文件頁數(shù)： 7/24頁
文件大小： 104K
代理商： 2SC5877S
Data Sheet P15660EJ1V0DS
7
2SC5800
4
3
2
1
0
16
12
8
4
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 1 V
f = 1 GHz
NF
G
a
4
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2
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16
12
8
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10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 1 V
f = 1.5 GHz
NF
G
a
4
3
2
1
0
16
12
8
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0
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10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 1 GHz
NF
G
a
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Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 1 V
f = 2 GHz
NF
G
a
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1
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Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 2 GHz
NF
G
a
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Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 1.5 GHz
NF
G
a
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5880TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5881TLQ 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5881TLR 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5886A(T6L1,NQ) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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