參數(shù)資料
型號： 2SC5873S
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： トランジスタ
文件頁數(shù)： 9/24頁
文件大小： 104K
代理商： 2SC5873S
Data Sheet P15660EJ1V0DS
9
2SC5800
S-PARAMETERS
Note
When K
≥
1, the MAG (Maximum Available Power Gain) is used.
MAG =
When K
<
1, the MSG (Maximum Stable Power Gain) is used.
MSG =
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA, Z
O
= 50
Note
Frequency
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG/MSG
(GHz)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
MAG.
ANG.
(deg.)
(dB)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
4.0
5.0
0.943
0.921
0.889
0.851
0.823
0.800
0.780
0.770
0.763
0.760
0.754
0.757
0.756
0.757
0.761
0.762
0.767
0.766
0.772
0.779
0.782
0.785
0.791
0.794
0.797
0.800
0.803
0.803
0.798
0.801
0.798
0.794
24.3
47.8
68.9
86.4
101.1
113.6
124.3
133.6
141.2
148.3
154.4
160.2
165.0
169.8
174.1
178.3
178.0
174.0
170.6
167.1
164.0
161.1
158.5
156.0
153.6
151.1
149.1
147.1
145.1
143.2
125.7
116.1
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1.392
1.304
1.219
1.141
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1.025
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0.800
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0.642
0.621
0.601
0.592
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0.515
0.519
164.4
147.2
134.1
122.2
112.2
104.1
96.5
89.7
84.1
79.0
74.1
69.4
65.5
61.5
57.9
54.4
51.2
47.9
45.2
42.0
39.5
37.8
35.9
34.2
33.1
31.6
30.8
29.9
29.0
29.3
26.1
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16.8
16.3
17.0
18.9
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0.623
0.624
0.624
0.626
0.629
0.633
0.637
0.640
0.645
0.643
0.646
0.681
0.725
8.3
15.6
21.4
26.3
30.1
33.4
36.4
39.3
42.3
45.4
48.6
52.0
55.4
59.2
63.0
67.1
71.4
75.9
80.7
85.6
90.5
95.5
100.9
106.0
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116.3
121.3
125.9
130.7
135.6
179.9
149.0
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0.108
0.148
0.206
0.262
0.314
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0.442
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1.106
1.214
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1.301
1.228
1.116
1.028
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0.889
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0.811
0.796
0.781
0.781
0.798
0.810
0.930
0.989
19.45
16.62
14.98
13.80
12.97
12.32
11.83
11.48
11.24
11.07
11.01
11.03
11.08
11.15
9.25
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7.94
7.40
7.20
7.31
7.57
7.85
7.11
6.39
5.72
5.07
4.54
4.02
3.63
3.18
0.68
0.08
S
21
S
12
S
21
S
12
(K –
√
(K
2
– 1) )
相關PDF資料
PDF描述
2SC5874S Transistors
2SC5877S Low-Power, Single/Dual-Voltage &#181;P Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5881 Transistors
2SC5831 Driver Applications
2SC5849 Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5876T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5880TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC5881TLQ 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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