參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5868
英文描述： トランジスタ
中文描述： トランジスタ
文件頁(yè)數(shù)： 5/24頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： 2SC5868
Data Sheet P15660EJ1V0DS
5
2SC5800
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
8
6
4
2
0
10
1
100
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
6
8
2
4
0
10
1
100
V
CE
= 1 V
I
C
= 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
35
I
2
|
2
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
V
CE
= 1 V
I
C
= 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
35
I
2
|
2
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
V
CE
= 2 V
I
C
= 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
35
I
2
|
2
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
V
CE
= 2 V
I
C
= 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
35
I
2
|
2
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
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PDF描述
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2SC5868TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC5876T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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