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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5865 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Transistors High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) |
| 中文描述： | 晶體管高壓放電，高速開關(guān)，低噪聲（60V的1A）條 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SC5865 |
2SC5865
Transistors
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
2/4
Parameter
Symbol
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
fT
h
FE
Cob
ton
Min.
6
120
250
10
50
1.0
1.0
200
500
390
I
E
=
100
μ
A
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
500mA, I
B
=
50mA
I
C
=
1A,
I
B1
=
100mA
I
B2
=
100mA
V
CC
25V
V
CE
=
10V, I
E
=
100mA, f
=
10MHz
V
CB
=
10V, I
E
=0
mA, f
=
1MHz
V
μ
A
μ
A
MHz
mV
pF
ns
tstg
130
ns
tf
50
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BV
CBO
60
V
I
C
=
100
μ
A
Collector-base breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transistor frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturatioin voltage
BV
CEO
60
I
C
=
1mA
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
2
1
1 Non repetitive pulse
2 See switching characteristics measurement circuits
z
h
FE
RANK
Q
R
120-270
180-390
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