參數(shù)資料
型號： 2SC5851A
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 2/24頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： 2SC5851A
Data Sheet P15660EJ1V0DS
2
2SC5800
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
–
–
600
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
BE
= 1 V, I
C
= 0 mA
–
–
600
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
100
120
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
5.0
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.0
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
4.5
5.5
–
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz,
Z
S
= Z
opt
–
1.9
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 0.5 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
–
0.6
0.8
pF
Notes 1.
Pulse measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when the emitter grounded
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
80
h
FE
Value
100 to 145
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PDF描述
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