參數(shù)資料
型號： 2SC5849
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier
中文描述： npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 87K
代理商： 2SC5849
2SC5849
Rev.0, Nov. 2001, page 2 of 10
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
15
V
Collector to emitter voltage
6.0
V
Emitter to base voltage
1.5
V
Collector current
80
mA
Collector power dissipation
80
mW
°
C
°
C
Junction temperature
150
Storage temperature
Tstg
–55 to 150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
15
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
C
re
90
110
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
pF
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
CE
= 6.0 V, R
BE
= Infinite
V
EB
= 1.5 V, I
C
= 0
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
V
= 1 V, Emitter ground,
f = 1 MHz
Collector cutoff current
0.1
Emitter cutoff current
0.1
DC current transfer ratio
140
Reverse transfer capacitance
0.5
Collector output capacitance
C
ob
f
T
(1)
f
T
(2)
PG
1.0
10
0.85
1.15
pF
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 30 mA
V
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Gain bandwidth product
4.0
GHz
Gain bandwidth product
9.0
GHz
Power gain
13
dB
Noise figure
NF
1.1
1.8
dB
V
= 1 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
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