參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5831
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Driver Applications
中文描述: 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2SC5831
2SC5831
No.7261-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Inductive Load
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
hFE
fT
Es / b
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
ton
tstg
tf
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=1A
L=100mH, RBE=100
IC=1A, IB=4mA
IC=1A, IB=4mA
IC=100
μ
A, IE=0
IC=1mA, RBE=
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
1000
4000
180
MHz
mJ
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
25
1.0
1.5
2.0
75
75
55
55
65
65
0.2
3.5
0.5
Switching Time Test Circuit
Es / b Test Circuit
1000
100
7
5
7
5
3
2
10000
7
5
3
2
3
2
7
2
3
5
3
5
7
0.1
1.0
2
3
5
hFE -- IC
ITR06007
2.0
1.6
0.4
0.8
1.2
0
0
1
3
2
4
5
IC -- VCE
1500
μ
A
IB=0
150
μ
A
200
μ
A
250
μ
A
300
μ
A
1000
μ
A
20
μ
A
350
μ
A
400
μ
A
450
μ
A
500
μ
A
ITR06005
VCE=5V
Ta=120
°
C
25
°
C
-40
°
C
Cob -- VCB
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
0
0.4
0.8
1.2
2.8
2.0
2.4
1.6
IC -- VBE
ITR06006
T1
°
C
2
°
C
-
°
C
VCE=5V
ITR06008
10
100
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
2
3
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
5
7
0.1
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
f=1MHz
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Collector Current, IC -- A
D
O
VBB= --5V
VCC=20V
+VCC
INPUT
OUTPUT
100
μ
F
470
μ
F
50
RB
RL
20
VR
IC=250A, IB1= --250A, IB2=1A
PW=50
μ
s, Duty Cycle
1%
IB1= --IB2=4mA
TUT
RBE
IB
VCC=20V, RBE=100
TUT
L
300
10k
+
+
SW
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