參數(shù)資料
型號： 2SC5820
文件頁數(shù)： 2/24頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： 2SC5820
Data Sheet P15660EJ1V0DS
2
2SC5800
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
–
–
600
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
BE
= 1 V, I
C
= 0 mA
–
–
600
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
100
120
145
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product (1)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
5.0
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain (1)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.0
4.0
–
dB
Insertion Power Gain (2)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
4.5
5.5
–
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA, f = 2 GHz,
Z
S
= Z
opt
–
1.9
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 0.5 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
–
0.6
0.8
pF
Notes 1.
Pulse measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when the emitter grounded
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
80
h
FE
Value
100 to 145
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PDF描述
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2SC5824T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5825 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC5825TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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