參數(shù)資料
型號： 2SC5710TP
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 42K
代理商： 2SC5710TP
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-3/5
--10000
--1000
2
3
5
7
2
3
5
7
--100
2
3
5
7
--10
--0.01
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Ta=75
°
C
-
25
°
C
IT02976
2SA2039
IC / IB=20
0.01
2
3
5 70.1
Collector Current, IC -- A
2
3
5
71.0
2
3
5 710
IT02978
10
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1000
VCE(sat) -- IC
T=75
°
C
-25
°
C
2
°
C
2SC5706
IC / IB=20
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.01
3
2
5
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--0.1
7
3
2
5
7
3
2
5
7
--1.0
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
D
2SA2039
VCE= --2V
IT00156
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.01
3
2
5
10
0.1
7
3
2
5
7
3
2
5
7
1.0
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
D
Ta=75
°
C
--25
°
C
25
°
C
2SC5706
VCE=2V
IT00157
25
°
C
C
S
C
S
IC -- VCE
70mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
C
IT02975
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
2SC5706
VCE=2V
2
°
C
-
°
C
IT00155
T7
°
C
2
°
C
-
°
C
2SA2039
VCE= --2V
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.0
--0.5
--1.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.0
--1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IT00154
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--0.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IC -- VCE
C
--10mA
--5mA
--20mA
--30mA
--60mA
--80mA
-100mA
IB=0
IT02974
--40mA
--50mA
--70mA
0
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
1.0
1.2
1.4
5mA
20mA
10mA
IB=0
30mA
40mA
50mA
60mA
80mA
9m
1m
2SA2039
2SC5706
-90mA
T7
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5720(TPE4,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SC57250SL 功能描述:TRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5729T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5729T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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