參數(shù)資料
型號： 2SC5707TP-FA
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至252VAR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2SC5707TP-FA
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-2/5
Specifications
Note*( ) : 2SA2039
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
(--50)80
(--50)80
(--)50
(--)6
(--)5
(--)7.5
(--)1.2
Collector Dissipation
PC
0.8
15
150
Tc=25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)40V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)100
μ
A, RBE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
(--)1
(--)1
560
μ
A
μ
A
200
(360)400
(24)15
(
--
115)90
(
--
255)160
(--)0.89
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
(
--
195)135
(
--
430)240
(--)1.2
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
(--50)80
(--50)80
(--)50
(--)6
(30)35
(230)300
(15)20
Swicthing Time Test Circuit
VR10
25
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=1A
For PNP, the polarity is reversed.
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
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PDF描述
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