參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5509
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON RF TRANSISTOR
中文描述: NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù): 15/15頁
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代理商: 2SC5509
NEC Compound Semiconductor Devices Hong Kong Limited
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Technical issue
2SC5509
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5511 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
2SC5525 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
2SC5526 High-speed Switching Transistor(高速開關(guān)晶體管)
2SC5531 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關(guān)晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5517000LK 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC5521 制造商:JVC Worldwide 功能描述:TRANSISTOR