參數(shù)資料
型號： 2SC5025
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
中文描述： npn型硅外延（外延npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： 2SC5025
2SC5025
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak)
P
C
P
C
*
Tj
30
V
Collector to emitter voltage
20
V
Emitter to base voltage
3.5
V
Collector current
0.3
A
Collector peak current
0.5
A
Collector power dissipation
1
W
1
5
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= 10 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
20
—
—
V
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
V
CE (sat)
—
—
1.0
mA
V
CB
= 25 V, I
E
= 0
V
EB
= 3 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 50mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 300 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 60 mA
Emitter cutoff current
—
—
1.0
mA
DC current transfer ratio
40
—
200
Base to emitter voltage
—
—
1.2
V
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
2.0
V
Gain bandwidth product
f
T
Cob
—
1.2
—
GHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
EB
= 2 V, I
C
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
—
5.0
—
pF
Input capacitance
Cib
—
10
—
pF
See characteristic curves of 2SC3652.
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PDF描述
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2SC5026R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243
2SC5026S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243
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