參數(shù)資料
型號： 2SC4957-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個引腳微型模具
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC4957-T2
3
2SC4957
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
h
F
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
f
T
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
|
2
|
2
f = 2 GHz
f = 2 GHz
1
60
0
1
500 A
400 A
300 A
200 A
I
B
= 100 A
50
40
30
20
10
2
3
4
5
6
12
0.1
200
100
0
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100
5 V
V
CE
= 3 V
14
0.5
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
50
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
10
8
6
4
2
5
10
20
50
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
N
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
C
r
0.1
0.5
4
0.5
3
2
1
0
1
2
5
10
20
50
0.2
0.3
0.4
0.5
1
2
5
10
20
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
f = 1 MHz
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PDF描述
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2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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